參數(shù)資料
型號(hào)： PC48F4400P0VB00
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PBGA64
封裝： LEAD FREE, BGA-64
文件頁(yè)數(shù)： 27/102頁(yè)
文件大小： 1609K
代理商： PC48F4400P0VB00
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
27
0
128
18
0F0000 - 0FFFFF
10
070000 - 07FFFF
.
.
.
.
.
128
4
010000 - 01FFFF
4
010000 - 01FFFF
32
3
00C000 - 00FFFF
3
00C000 - 00FFFF
.
.
.
.
.
32
0
000000 - 03FFFF
0
000000 - 00FFFF
Table 8.
Discrete Bottom Parameter Memory Maps (all packages)
Programming
Region
Size
(KB)
Blk
256-Mbit
Blk
128-Mbit
Programming
Region
Size
(KB)
Blk
64-Mbit
Table 9.
512-Mbit Memory Map (Easy BGA and QUAD+ SCSP)
Flash Die #
Die Stack Config.
Size (KB)
512-Mbit Flash (2x256-Mbit w/ 1CE)
Blk
Address Range
2
Flash Die #2
(Top Parameter)
32
258
FFC000 - FFFFFF
.
.
.
32
255
FF0000 - FF3FFF
128
254
FE0000 - FEFFFF
.
.
.
128
0
000000 - 00FFFF
1
Flash Die #1 (Bottom
Parameter)
128
258
FF0000 - FFFFFF
.
.
.
128
4
010000 - 01FFFF
32
3
00C000 - 00FFFF
.
.
.
32
0
000000 - 003FFF
Note:
Refer to 256-Mbit Memory Map (
Table 7
and
Table 8
) for Programming Region Information.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC48F0P0VTQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PC48F2P0VTQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PC48F3P0VTQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PC4N35VI NPN-Output dc-Input Optocoupler
PC4N35V NPN-Output dc-Input Optocoupler
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC48F4400P0VB00A 功能描述:IC FLASH 512MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
PC48F4400P0VB00B 功能描述:IC FLASH 512MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
PC48F4400P0VB02E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PC48F4400P0VB02E - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 512MBIT 85NS TBGA
PC48F4400P0VB02F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PC48F4400P0VB02F - Tape and Reel
PC48F4400P0VB0E 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
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