參數(shù)資料
型號： PBSS4320T
英文描述： 20 V low VCEsat NPN transistor
中文描述： 20伏低飽和壓降NPN型晶體管
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： PBSS4320T
2003 Jan 30
5
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4240V
handbook, halfpage
0
10
1
200
400
600
MHC471
1
IC (mA)
hFE
10
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
MHC472
0
10
1
0
.
4
0
.
8
1
10
IC (mA)
VBE
(V)
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
10
10
2
3
MHC473
IC (mA)
VCEsat
(mV)
(1)
(3)
(2)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(V)
0.2
0.4
0.6
0.8
1
MHC474
10
1
1
10
IC (mA)
10
3
10
2
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBSS4350SA 50 V low VCEsat NPN transistor
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