參數(shù)資料
型號： PBSS4320T
英文描述： 20 V low VCEsat NPN transistor
中文描述： 20伏低飽和壓降NPN型晶體管
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大小： 72K
代理商： PBSS4320T
2003 Jan 30
11
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4240V
NOTES
相關PDF資料
PDF描述
PBSS4350SA 50 V low VCEsat NPN transistor
PBSS4350T TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-23
PBSS4350X 50 V. 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBTAMFR95BK300R BRAID SLEEVING 300M
PBTAMFR127BK300R BRAID SLEEVING 300M
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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PBSS4320T,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS4320T/DG,215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tape & Reel
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