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參數(shù)資料
| 型號： | P28F002BC-T120 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 28F002BC 2-MBIT (256K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PDIP40 |
| 封裝： | PLASTIC, DIP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 32/37頁 |
| 文件大小： | 455K |
| 代理商： | P28F002BC-T120 |
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28F002BC 2-MBIT BOOT BLOCK FLASH MEMORY
E
32
PRELIMINARY
ADDRESSES (A)
CE# (E)
OE# (G)
WE# (W)
DATA (D/Q)
RP# (P)
IH
V
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
IH
V
IL
V
HH
V
V
6.5V
IL
V
IL
V
IN
D
IN
A
IN
A
AVAV
t
AVWH
t
WHAX
t
IN
D
WHEH
t
WHWL
t
Valid
SRD
IN
D
WHQV1,2,3,4
t
VPWH
t
QVVL
t
QVPH
t
PHHWH
t
IH
PHWL
t
High Z
WHDX
t
DVWH
t
WLWH
t
V
IL
V
V (V)
1
2
3
4
6
5
PPH
V
V
PPLK
V
PPH
1
2
WP#
IL
V
IH
V
ELWL
t
0578_12
NOTES:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
V
CC
Power-Up and Standby
Write Program Setup or Erase Setup Command
Write Valid Address and Data (Program or Erase Confirm Command
Automated Program or Erase Delay
Read Status Register Data
Write Read Array Command
Figure 13. AC Waveforms for Write and Erase Operations (WE#
—Controlled Writes)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P28F002BC-T80 | 28F002BC 2-MBIT (256K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY |
| P28F512-150 | 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY |
| P28F512-120 | 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY |
| P3000AA61 | solid state crowbar devices |
| P3104U | solid state crowbar devices |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P28F002BC-T80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F002BC 2-MBIT (256K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY |
| P28F010120 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| P28F010-120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| P28F010150 | 制造商:INTEL 功能描述:* |
| P28F010-150 | 制造商:Intel 功能描述: |
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