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PSMN3R8-100BS,118

配單專家企業(yè)名單
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  • PSMN3R8-100BS,118
    PSMN3R8-100BS,118

    PSMN3R8-100BS,118

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

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  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN3R8-100BS,118
    PSMN3R8-100BS,118

    PSMN3R8-100BS,118

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 4795

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  • 瑞智芯只做原裝上傳有貨

  • PSMN3R8-100BS,118
    PSMN3R8-100BS,118

    PSMN3R8-100BS,118

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 367257

  • NEXPERIA

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  • 24+

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  • PSMN3R8-100BS,118
    PSMN3R8-100BS,118

    PSMN3R8-100BS,118

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 800

  • NEXPERIA

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -
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PSMN3R8-100BS,118 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET Std N-chanMOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PSMN3R8-100BS,118 技術參數(shù)
  • PSMN3R7-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.95 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1848pF @ 15V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK, 電源-SO8 標準包裝:1 PSMN3R7-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):97A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.9 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1585pF @ 12V 功率 - 最大值:64W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK, 電源-SO8 標準包裝:1 PSMN3R5-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):139nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):9961pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):338W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN3R5-80ES,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):139nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):9800pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):338W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 標準包裝:50 PSMN3R5-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):41nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2458pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):74W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PSMN4R1-30YLC,115 PSMN4R1-60YLX PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-60PLQ PSMN4R3-100ES,127 PSMN4R3-100PS,127 PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30PL,127 PSMN4R3-80ES,127 PSMN4R3-80PS,127 PSMN4R4-30MLC,115 PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R5-30YLC,115 PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R6-100XS,127 PSMN4R6-60BS,118
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