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PSMN3R7-30YLC,115

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
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  • 1
PSMN3R7-30YLC,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 30V 3.95mOhms
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PSMN3R7-30YLC,115 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN3R7-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):97A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.9 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):21.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1585pF @ 12V 功率 - 最大值:64W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK, 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN3R5-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):139nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):9961pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):338W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN3R5-80ES,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):139nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):9800pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):338W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN3R5-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):41nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2458pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):74W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN3R5-30LL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):37nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2061pF @ 15V 功率 - 最大值:71W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN3333(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R1-30YLC,115 PSMN4R1-60YLX PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-60PLQ PSMN4R3-100ES,127 PSMN4R3-100PS,127 PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30PL,127 PSMN4R3-80ES,127 PSMN4R3-80PS,127 PSMN4R4-30MLC,115 PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R5-30YLC,115 PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R6-100XS,127
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