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PSMN5R6-100YSFX

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  • PSMN5R6-100YSFX
    PSMN5R6-100YSFX

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  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SMD

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • PSMN5R6-100YSFX
    PSMN5R6-100YSFX

    PSMN5R6-100YSFX

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Nexperia

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  • PSMN5R6-100YSFX
    PSMN5R6-100YSFX

    PSMN5R6-100YSFX

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人：馮

    電話：17841084408

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和大廈B座20

  • 38000

  • Nexpe原裝正品

  • 19+

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  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

  • PSMN5R6-100YSFX
    PSMN5R6-100YSFX

    PSMN5R6-100YSFX

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 1500

  • NEXPERIA

  • 主營(yíng)優(yōu)勢(shì)

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PSMN5R6-100YSFX 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN5R6-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:61.8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:145nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8061pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN5R6-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:141nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:8061pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN5R6-100BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:141nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:8061pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN5R5-60YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:56nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3501pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:130W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN5R4-25YLDX 功能描述:PSMN5R4-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:858pF @ 12V FET 功能:肖特基二極管（體） 功率耗散（最大值）:47W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.69 毫歐 @ 15A， 10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN6R1-25MLDX PSMN6R1-30YLDX PSMN6R3-120ESQ PSMN6R3-120PS PSMN6R4-30MLDX PSMN6R5-25YLC,115 PSMN6R5-30MLDX PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R9-100YSFQ PSMN6R9-100YSFX PSMN7R0-100BS,118 PSMN7R0-100ES,127 PSMN7R0-100PS,127 PSMN7R0-100XS,127 PSMN7R0-30MLC,115 PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YLC,115
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