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PSMN7R0-100BS,118

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  • PSMN7R0-100BS,118
    PSMN7R0-100BS,118

    PSMN7R0-100BS,118

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

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  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN7R0-100BS,118
    PSMN7R0-100BS,118

    PSMN7R0-100BS,118

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 367310

  • NEXPERIA

  • con

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  • PSMN7R0-100BS,118
    PSMN7R0-100BS,118

    PSMN7R0-100BS,118

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 800

  • NEXPERIA

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -

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  • 1
PSMN7R0-100BS,118 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 6.8 MOHM MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PSMN7R0-100BS,118 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN6R5-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:71nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4461pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:210W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.9 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN6R5-80BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:71nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4461pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:210W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.9 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN6R5-30MLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V MLFP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:65A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:817pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:51W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN6R5-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 64A LL LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:64A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1093pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:48W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN6R4-30MLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V MLFP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:66A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:832pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:51W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN7R5-30MLDX PSMN7R5-30YLDX PSMN7R5-60YLX PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60PS,127 PSMN7R6-60XSQ PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-120ESQ PSMN7R8-120PSQ PSMN8R0-30YL,115 PSMN8R0-30YLC,115 PSMN8R0-40BS,118 PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-80YLX PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R5-100ESFQ
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