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PSMN9R0-25YLC,115

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PSMN9R0-25YLC,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-chnl25V9.1m logic lvl MOSFET in LFPAK
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PSMN9R0-25YLC,115 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN9R0-25MLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:55A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:705pF @ 12.5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.65 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標準包裝:1 PSMN8R7-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:52nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3346pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:170W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.7 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN8R7-80BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:52nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3346pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:170W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.7 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN8R5-60YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:76A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:39nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2370pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:106W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN8R5-108ESQ 功能描述:MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:108V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tj） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:111nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5512pF @ 50V 功率 - 最大值:263W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 PSM-N-Y PSM-O-Y PS-MP PSMP-FSBA-1000 PSMP-FSBA-1042 PSMP-FSBA-1175 PSMP-FSBA-1755 PSMP-FSBA-1970 PSMP-FSBA-2380 PSMP-FSBA-2580 PSMP-MSLD-CSB PSMP-MSLD-PCE PSMP-MSLD-PCS PSMP-MSLD-PCSEM PSMP-MSLD-PCT1R PSMP-MSLD-PCT25 PSMP-MSLD-PCT35 PSMP-MSLD-PCTEM
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