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PSMN5R6-100PS,127

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • PSMN5R6-100PS,127
    PSMN5R6-100PS,127

    PSMN5R6-100PS,127

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • NXP

  • 原廠原裝

  • 1725+

  • -
  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷庫(kù)存

  • PSMN5R6-100PS,127
    PSMN5R6-100PS,127

    PSMN5R6-100PS,127

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Nexperia USA Inc.

  • TO-220-3

  • 21+

  • -
  • 質(zhì)量保真,價(jià)格實(shí)惠,假一罰十

  • PSMN5R6-100PS,127
    PSMN5R6-100PS,127

    PSMN5R6-100PS,127

  • 深圳市粵科源興科技有限公司
    深圳市粵科源興科技有限公司

    聯(lián)系人:謝先生

    電話:13392885468

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路賽格廣場(chǎng)大廈69樓6998室/華強(qiáng)電子世界三期4C159-160室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Power MOS

  • 14+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • PSMN5R6-100PS,127
    PSMN5R6-100PS,127

    PSMN5R6-100PS,127

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 1000

  • NEXPERIA

  • 主營(yíng)優(yōu)勢(shì)

  • 1904

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

  • PSMN5R6-100PS,127
    PSMN5R6-100PS,127

    PSMN5R6-100PS,127

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人:胡慶偉

    電話:13138879988

    地址:深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號(hào) 富源商貿(mào)中心D棟601

  • 19

  • NEX

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -
  • 0.92394 USD,szpoweri...

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共16條 
  • 1
PSMN5R6-100PS,127 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MOSFET N-CH 100V 100A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PSMN5R6-100PS,127 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN5R6-100BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):141nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):8061pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):306W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.6 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN5R5-60YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):56nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3501pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):130W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN5R4-25YLDX 功能描述:PSMN5R4-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):70A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):12.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):858pF @ 12V FET 功能:肖特基二極管(體) 功率耗散(最大值):47W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.69 毫歐 @ 15A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN5R3-25MLDX 功能描述:PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):70A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):12.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):858pF @ 12V FET 功能:肖特基二極管(體) 功率耗散(最大值):51W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.9 毫歐 @ 15A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引線) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN5R2-60YLX 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):39.4nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):6319pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):195W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN6R0-30YL,115 PSMN6R0-30YLB,115 PSMN6R0-30YLDX PSMN6R1-25MLDX PSMN6R1-30YLDX PSMN6R3-120ESQ PSMN6R3-120PS PSMN6R4-30MLDX PSMN6R5-25YLC,115 PSMN6R5-30MLDX PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R9-100YSFQ PSMN6R9-100YSFX PSMN7R0-100BS,118 PSMN7R0-100ES,127 PSMN7R0-100PS,127 PSMN7R0-100XS,127
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