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PSMN2R0-30YLDX

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PSMN2R0-30YLDX
    PSMN2R0-30YLDX

    PSMN2R0-30YLDX

    現(xiàn)貨
  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 9868

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • PSMN2R0-30YLDX
    PSMN2R0-30YLDX

    PSMN2R0-30YLDX

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN2R0-30YLDX
    PSMN2R0-30YLDX

    PSMN2R0-30YLDX

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 2485

  • NXP SEMIC

  • DIGI-REEL?

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • PSMN2R0-30YLDX
    PSMN2R0-30YLDX

    PSMN2R0-30YLDX

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 4500

  • Nexperia

  • N/A

  • 24+

  • -
  • 瑞智芯只做原裝上傳有貨

  • PSMN2R0-30YLDX
    PSMN2R0-30YLDX

    PSMN2R0-30YLDX

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人:李瑞兵

    電話:18897698645

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Nexperia

  • 22+

  • -
  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
PSMN2R0-30YLDX PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 100A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 46nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 2969pF @ 15V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 142W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 2 毫歐 @ 25A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • LFPAK56,Power-SO8
  • 封裝/外殼
  • SC-100,SOT-669
  • 標準包裝
  • 1
PSMN2R0-30YLDX 技術參數(shù)
  • PSMN2R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3980pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):97W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PSMN2R0-30PL,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):117nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6810pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):211W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.1 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN2R0-30BL,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):117nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6810pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):211W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.1 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PSMN2R0-25YLDX 功能描述:PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):34.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2485pF @ 12V FET 功能:肖特基二極管(體) 功率耗散(最大值):115W (Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.09 毫歐 @ 25A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PSMN2R0-25MLDX 功能描述:PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):34.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2490pF @ 12V FET 功能:肖特基二極管(體) 功率耗散(最大值):74W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.27 毫歐 @ 25A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引線) 標準包裝:1 PSMN2R2-40PS,127 PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30YLDX PSMN2R5-30YL,115 PSMN2R5-60PLQ PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-60PSQ PSMN2R7-30BL,118 PSMN2R7-30PL,127 PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-40BS,118 PSMN2R8-40PS,127 PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R9-25YLC,115 PSMN2R9-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30YL,115
配單專家

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