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PSMN2R0-25YLDX

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • PSMN2R0-25YLDX
    PSMN2R0-25YLDX

    PSMN2R0-25YLDX

    優(yōu)勢(shì)
  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：周小姐/高先生/曹先生

    電話(huà)：137602720171852080514813487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 500

  • NXP

  • SOT669

  • 22+

  • -

  • 授權(quán)代理直銷(xiāo),原廠(chǎng)原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特...

  • PSMN2R0-25YLDX
    PSMN2R0-25YLDX

    PSMN2R0-25YLDX

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話(huà)：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • SOT669

  • 22+

  • -

  • 每一片都來(lái)自原廠(chǎng)，正品保證

  • PSMN2R0-25YLDX
    PSMN2R0-25YLDX

    PSMN2R0-25YLDX

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話(huà)：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠(chǎng)正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • PSMN2R0-25YLDX
    PSMN2R0-25YLDX

    PSMN2R0-25YLDX

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話(huà)：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 367211

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
PSMN2R0-25YLDX PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類(lèi)型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 100A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 4.5V，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 34.1nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 2485pF @ 12V
  • FET 功能
  • 肖特基二極管（體）
  • 功率耗散（最大值）
  • 115W （Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 2.09 毫歐 @ 25A， 10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • LFPAK56，Power-SO8
  • 封裝/外殼
  • SC-100，SOT-669
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
PSMN2R0-25YLDX 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN2R0-25MLDX 功能描述:PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:34.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2490pF @ 12V FET 功能:肖特基二極管（體） 功率耗散（最大值）:74W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.27 毫歐 @ 25A， 10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線(xiàn)） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN1R9-40PLQ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 150A SOT78 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:150A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:120nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:13200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:349W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN1R9-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.05 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3504pF @ 12V 功率 - 最大值:141W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK， 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN1R8-40YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:96nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6680pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:272W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN1R8-30PL,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:170nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:10180pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:270W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN2R1-60CSJ PSMN2R2-25YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-40BS,118 PSMN2R2-40PS,127 PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30YLDX PSMN2R5-30YL,115 PSMN2R5-60PLQ PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-60PSQ PSMN2R7-30BL,118 PSMN2R7-30PL,127 PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-40BS,118 PSMN2R8-40PS,127 PSMN2R8-80BS,118
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