參數(shù)資料
型號： NZT753
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP Current Driver Transistor
中文描述： 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： NZT753
3.00
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0.10
7
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4.60
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0.25
6.50
±
0.20
(0.95)
(0.95)
2.30 TYP
0.25
MAX1.80
0
°
~10
°
+0.10
–0.05
0.06
+0.04
–0.02
Package Dimensions
N
SOT-223
Dimensions in Millimeters
Rev. A, April 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NZT902 NPN Low Saturation Transistor
OAA160ES
LBA110LES
LBA120E
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參數(shù)描述
NZT753_NL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT753_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT902 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZTC07P-23 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:PACKING 10-589940-011 - Bulk
NZTC07P-24 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:PACKING 10-589940-012 - Bulk
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