參數(shù)資料
型號： NZT6715
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器)
中文描述： 1500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： NZT6715
T
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics
(continued)
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
Pr38
0.001
0.01
0.1
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
B
V = 5V
125 o
C
- 40 oC
25°C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P 38
0.001
0.01
0.1
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
B
V = 5V
125 o
C
- 40 oC
25°C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
T - AMBIENT TEMPERATURE (o
75
100
125
150
0.1
1
10
100
I
V = 40V
C
Collector-Base Capacitance
vs Collector-Base Voltage
Pr 38
0
4
V - COLLECTOR-BASE VOLTAGE (V)
8
12
16
20
24
28
0
10
20
30
40
C
O
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
1
10
100
1000
0
100
200
300
400
500
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
F
V = 10V
Safe Operating Area TO-226
Pr38
1
10
100
0.01
0.1
1
10
V - COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
I
C
*PULSED
OPERATION
T = 25 °C
LIMIT DETERMINED
BY BV
CEO
DC T =2S*
COLLECTOR LEAD
DC T = 25 °C
AMBIENT
100
10
μ
S*
10ms
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NZT6717 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT6717_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT6726 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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