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參數(shù)資料
| 型號： | NZT6715 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器) |
| 中文描述： | 1500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | NZT6715 |
T
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector-Cutoff Current
I
EBO
Emitter-Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 100
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 50 V, I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V, I
C
= 0
40
50
5.0
V
V
V
μ
A
μ
A
0.1
0.1
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100 mA, V
= 1.0 V
I
C
= 1.0 A, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 1.0 A, I
B
= 100 mA
I
C
= 1.0 A, V
CE
= 1.0 V
55
60
50
250
0.5
1.2
V
CE(
sat
)
V
BE(
on
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Small-Signal Current Gain
h
fe
I
= 50 mA, V
CE
= 10 V,
f = 20 MHz
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
2.5
20
C
cb
Collector-Base Capacitance
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
1.0%
30
pF
Typical Characteristics
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P 38
0.01
0.1
1
3
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
C
β
= 10
125 o
C
- 40 oC
25°C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0
0.01
0.1
1
2
100
200
300
400
500
I - COLLECTOR CURRENT (A)
h
F
- 40 oC
25 °C
V = 5V
125 °C
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NZT6717 | NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器) |
| NZT6726 | PNP General Purpose Amplifier(PNP通用放大器) |
| NZT6727 | PNP General Purpose Amplifier |
| NZT6728 | PNP General Purpose Amplifier |
| NZT6729 | PNP General Purpose Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NZT6715_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| NZT6717 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| NZT6717_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| NZT6726 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| NZT6726_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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