參數(shù)資料
型號(hào)： NZT651
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN Current Driver Transistor
中文描述： 4000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 113K
代理商： NZT651
N
DC Typical Characteristics
(continued)
AC Typical Characteristics
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.01
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
B
β
= 10
- 40 oC
25 °C
125 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P 4P
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
B
V = 5V
- 40 oC
25 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
P 4P
25
50
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
75
100
125
o
150
0.01
0.1
1
10
100
I
V = 50V
C
NPN Current Driver Transistor
(continued)
Junction Capacitance vs.
Reverse Bias Voltage
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參數(shù)描述
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NZT660 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT660_05 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Low Saturation Transistor
NZT660_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT660A 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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