參數(shù)資料
型號： NZT651
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Current Driver Transistor
中文描述： 4000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： NZT651
N
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector-Cutoff Current
I
EBO
Emitter-Cutoff Current
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 50 mA, V
CE
= 2.0 V
I
C
= 500 mA, V
CE
= 2.0 V
I
C
= 1.0 A, V
CE
= 2.0 V
I
C
= 2.0 A, V
CE
= 2.0 V
I
C
= 1.0 A, I
B
= 100 mA
I
C
= 2.0 A, I
B
= 200 mA
I
C
= 1.0 A, I
B
= 100 mA
I
C
= 1.0 A, V
CE
= 2.0 V
75
75
75
40
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.3
0.5
1.2
1.0
V
V
V
V
V
BE(
sat
)
V
BE(
on
)
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
DC Typical Characteristics
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 100
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 80 V, I
E
= 0
V
EB
= 4.0 V, I
C
= 0
60
80
5.0
V
V
V
nA
μ
A
100
0.1
I
= 50 mA, V
CE
= 5.0 V,
f = 100 MHz
75
MHz
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.1
1
10
0
50
100
150
200
I - COLLECTOR CURRENT (A)
h
F
- 40 oC
25 °C
V = 5V
125 °C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P 4P
0.01
0.1
1
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
C
β
= 10
- 40 oC
25 °C
125 °C
NPN Current Driver Transistor
(continued)
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