參數資料
型號： NUS3045MNT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 電源管理
英文描述： Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET
中文描述： 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, DSO8
封裝： 3.30 X 3.30 MM, LEAD FREE, DFN-8
文件頁數： 5/12頁
文件大小： 138K
代理商： NUS3045MNT1G
NUS2045MN, NUS3045MN
http://onsemi.com
5
PCHANNEL MOSFET
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Drain to Source On Resistance
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 600 mA
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 1.0 A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 600 mA
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 1.0 A
NUS2045MN
NUS2045MN
NUS3045MN
NUS3045MN
R
DS(on)
71
71
66
66
95
95
110
110
m
Zero Gate Voltage Drain Current
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V
NUS2045MN
NUS3045MN
I
DSS
1.0
1.0
A
Turn On Delay (Note 4)
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V
NUS2045MN
NUS3045MN
t
on
7.5
11
ns
Turn Off Delay (Note 4)
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V
NUS2045MN
NUS3045MN
t
off
30.2
28
ns
Input Capacitance (Note 3)
V
GS
= 0 V, f = 1.0 MHz, V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V, f = 1.0 MHz, V
DS
= 15 V
NUS2045MN
NUS3045MN
C
in
675
750
pF
Gate to Source Leakage Current
V
GS
=
±
8.0 V, V
DS
= 0 V
V
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0 V
NUS2045MN
NUS3045MN
I
GSS
±
10
±
10
nA
Drain to Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= 250 A
NUS2045MN
NUS3045MN
V
(BR)DSS
20
30
V
Gate Threshold Voltage
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250 A
NUS2045MN
NUS3045MN
V
(GS)th
1.2
3.0
0.4
1.0
V
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
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