參數(shù)資料
型號： NTP75N06D
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： NTP75N06D
NTP75N06, NTB75N06
http://onsemi.com
5
r
(
t, TIME ( s)
Figure 13. Thermal Response
0.1
1.0
0.01
0.1
0.2
0.02
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
R
JC
(t) = r(t) R
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
1.0
10
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
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NTP75N06
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NTB75N06T4G
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PAK
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800 Tape & Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTP75N06G Power MOSFET
NTD12N10-1 Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK
NTD12N10T4 Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK
NTD12N10T4G Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK
NTD14N03R Power MOSFET 14 Amps, 25Volts N-Channel DPAK(14A, 25 V，N通道，DPAK封裝的功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTP75N06G 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTP75N06G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N
NTP75N06G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET
NTP75N06L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NTP75N06L/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power MOSFET 75 Amps， 60 Volts， Logic Level
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