參數(shù)資料
型號(hào)： NTF3055-160T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223
中文描述： 2 A, 60 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
封裝： CASE 318E-04, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： NTF3055-160T1
NTF3055–160
http://onsemi.com
3
0
0.5
2
3.5
2.5
1.5
1
3
4
Figure 1. On–Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On–Resistance versus
Gate–to–Source Voltage
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 6. Drain–to–Source Leakage Current
versus Voltage
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
TJ = 25
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = –55
°
C
0
0.28
0.24
0.2
0.16
0.12
0
0.5
2
3.5
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
)
VGS = 15 V
2
1.8
1.6
1.4
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
R
–50
50
25
0
–25
75
125
100
ID = 1 A
VGS = 10 V
0.8
0.6
150
1
10
1000
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
0
40
60
30
20
10
50
100
2.5
1.5
0
0.8
2
2.8
1.6
0.8
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
0
0.4
3.6
VGS = 10 V
VGS = 4.5 V
VGS = 8 V
VGS = 10 V
VGS = 5 V
1.6
0.4
1.2
2
3
6.2
3.8
5.4
3.4
4.2
4.6
5
5.8
0.08
0.04
1
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1.2
1.2
0.8
2
0
2.8
1.6
0.4
1.2
0.28
0.24
0.2
0.16
0.12
0
0.08
0.04
1
175
VGS = 5.5 V
TJ = 150
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 25
°
C
TJ = 25
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = –55
°
C
VDS
≥
10 V
VGS = 0 V
2.4
2.4
3.2
2.8
VGS = 7 V
VGS = 6 V
2.4
3
TJ = 125
°
C
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTF3055-160T3 Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223
NTF3055-160T3LF Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223
NTF3055L108 Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level N-Channel SOT-223(3A,60V邏輯電平,N通道，SOT-223封裝的功率MOSFET)
NTF3055L175 Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level N-Channel SOT-223(2A,60V邏輯電平,N通道，SOT-223封裝的功率MOSFET)
NTGD1100 8V,±3.3A,Load Switch with Level Shift,P Channel,TSOP6 Power MOSFET(8V,±3.3A,P溝道功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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NTF3055-160T3LF 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NTF3055L108 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel SOT−223
NTF3055L108/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power MOSFET 3.0 Amps， 60 Volts， Logic Level
NTF3055L108D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel SOT−223
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