參數(shù)資料
型號： NTF3055-160
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N–Channel SOT–223(2A,60V邏輯電平,N通道，SOT-223封裝的功率MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET 2.0安培，60伏特N通道的SOT - 223（第2A，60V的邏輯電平，?通道，采用SOT - 223封裝的功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 55K
代理商： NTF3055-160
NTF3055–160
http://onsemi.com
4
10
10
15
5
0
20
5
25
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
VGS
100
10
1
0.001
100
10
1
12
10
8
6
4
2
0
50
20
10
0
2
1.6
0
0.6
480
400
240
GATE–TO–SOURCE OR DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
C
160
80
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate–to–Source and
Drain–to–Source Voltage versus Total Charge
V
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
RG, GATE RESISTANCE (
)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
VSD, SOURCE–TO–DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
I
t
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
I
E
A
0
5
7
6
4
2
8
1
10
100
0.68
0.64
0.8
0.1
10
100
1
25
125
150
100
75
175
50
ID = 2 A
TJ = 25
°
C
VGS
VGS = 0 V
VDS = 0 V
TJ = 25
°
C
Crss
Ciss
Coss
Crss
1.2
0.72
0.76
Ciss
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
VDS = 30 V
ID = 2 A
VGS = 10 V
VGS = 0 V
TJ = 25
°
C
ID = 6 A
1 ms
10
μ
s
10 ms
dc
tr
td(off)
td(on)
VDS
0.88
0.1
30
40
Q2
Q1
QT
60
70
0
3
1
0.8
0.4
tf
320
560
0.84
0.01
100
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTF3055-160T1 Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223
NTF3055-160T3 Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223
NTF3055-160T3LF Power MOSFET 2.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223
NTF3055L108 Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level N-Channel SOT-223(3A,60V邏輯電平,N通道，SOT-223封裝的功率MOSFET)
NTF3055L175 Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level N-Channel SOT-223(2A,60V邏輯電平,N通道，SOT-223封裝的功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTF3055-160T1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NTF3055-160T3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
NTF3055-160T3LF 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NTF3055L108 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel SOT−223
NTF3055L108/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power MOSFET 3.0 Amps， 60 Volts， Logic Level
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