參數(shù)資料
型號(hào)： NTE5360
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon Controlled Rectifier (SCR) 35 Amp
中文描述： 可控硅（晶閘管）35安培
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 61K
代理商： NTE5360
NTE5360
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
35 Amp
Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics:
Repetitive Peak Off State Voltage (Gate Open, T
J
= +110
°
C), V
DRM
Repetitive Peak Reverse Voltage (Gate Open, T
J
= +110
°
C), V
RRM
RMS On
State Current (T
C
= +80
°
C, 360
°
Conduction Angle), I
T(RMS)
Peak Surge (Non
Repetitive) On
State Current (One Cycle, 50 or 60Hz), I
TSM
Peak Gate Trigger Current (3
μ
s Max), I
GTM
Peak Gate Power (I
GT
≤
I
GTM
), P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power Dissipation, P
G(AV)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Repetitive Peak Off
State Current (At V
DRM
, T
C
= +110
°
C), I
DRM
Maximum Repetitive Peak Reverse Current (At V
RRM
, T
C
= +110
°
C), I
RRM
Maximum Peak On
State Voltage (T
C
= +25
°
C, I
T
= 40A), V
TM
Maximum DC Holding Current (Gate Open, T
C
= +25
°
C), I
H
Critical Rate of Rise of Off
State Voltage (Gate Open, T
C
= +110
°
C), dv/dt
Maximum DC Gate Trigger Current (V
A
= 12V, R
L
= 60
, T
C
= +25
°
C), I
GT
Maximum DC Gate Trigger Voltage (V
A
= 12V, R
L
= 60
, T
C
= +25
°
C), V
GT
gate Controlled Turn
On Time (For t
d
and t
r
, I
GT
= 150mA, T
C
= +25
°
C), t
gt
Operating Temperature Range, T
opr
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Typical Thermal Resistance, Junction
to
Case, R
thJC
600V
600V
40A
400A
2A
20W
500mW
1.0mA
1.0mA
1.6V
50mA
200V/
μ
s
25mA
2.0V
2.5
μ
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . .
40
°
to +150
°
C
40
°
to +150
°
C
1.4
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTE5401 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 0.8 Amp Sensitive Gate
NTE5402 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 0.8 Amp Sensitive Gate
NTE5400 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 0.8 Amp Sensitive Gate
NTE5428 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 7 Amp
NTE5444 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTE5368 制造商:NTE Electronics 功能描述:SILICON CONTROLLED RECTIFIER- 600V 135A HIGH SPEED TO-83 CASE IGT=150MA 制造商:NTE Electronics 功能描述:SILICON CONTROLLED RECTIFIER- 600V 125A HIGH SPEEDTO83 CASE 制造商:NTE Electronics 功能描述:Thyristor SCR 600V 2.56KA 3-Pin TO-83
NTE5369 制造商:NTE Electronics 功能描述:SILICON CONTROLLED RECTIFIER- 1200V 125A HIGH SPEED TO-83 CASE IGT=150MA
NTE5371 制造商:NTE Electronics 功能描述:SCR-600V-125A HI SPD 制造商:NTE Electronics 功能描述:Thyristor SCR 600V 2.56KA 4-Pin TO-94
NTE5374 制造商:NTE Electronics 功能描述:SILICON CONTROLLED RECTIFIER- 600V 275A HIGH SPEEDTO93 CASE 制造商:NTE Electronics 功能描述:Thyristor SCR 600V 5.17KA 4-Pin TO-93
NTE5375 制造商:NTE Electronics 功能描述:SILICON CONTROLLED RECTIFIER- 1200V 275A HIGH SPEED TO-93 CASE IGT=200MA
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*