參數(shù)資料
型號(hào)： NTE48
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor Darlington, General Purpose Amplifier, High Current
中文描述： 硅NPN晶體管達(dá)林頓，通用放大器，高電流
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 21K
代理商： NTE48
NTE48
Silicon NPN Transistor
Darlington, General Purpose Amplifier,
High Current
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CES
Collector–Base Voltage, V
CBO
Emitter–Base Voltage, V
EBO
Continuous Collector Current, I
C
Total Device Dissipation (T
A
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C
Total Device Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C
Operating Junction Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R
thJA
50V
60V
12V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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1000mA
1.0W
8.0mW/
°
C
2.5W
20mW/
°
C
–55
°
to +150
°
C
–55
°
to +150
°
C
50
°
C/W
125
°
C/W
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown
Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
I
C
= 1.0
μ
A, I
E
= 0
Emitter–Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
Collector Cutoff Voltage
Emitter Cutoff Current
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
(BR)CES
I
C
= 1mA, I
B
= 0, Note 1
50
–
–
V
600
12
–
–
–
–
–
–
–
–
V
V
nA
nA
I
CBO
I
EBO
V
CB
= 40V, I
E
= 0
V
BE
= 10V, I
C
= 0
100
100
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