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參數(shù)資料
| 型號： | NTE473 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Transistor RF Power Driver |
| 中文描述： | 硅NPN晶體管射頻功率驅(qū)動器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 23K |
| 代理商： | NTE473 |
NTE473
Silicon NPN Transistor
RF Power Driver
Description:
The NTE473 is a silicon NPN transistor in a TO39 type package designed for amplifier and oscillator
applications in military and industrial equipment. Suitable for use as output, driver or predriver stages
in VHF equipment.
Features:
Specified 175MHz, 28V Characteristics:
Output Power: 2.5W
Minimum Gain: 10dB
Efficiency: 50%
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
Collector–Base Voltage, V
CB
Emitter–Base Voltage, V
EB
Collector Current, I
C
Total Device Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C
Operating Junction Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
40V
65V
4V
1A
7W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40mW/
°
C
–65
°
to +200
°
C
–65
°
to +200
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Sustaining Voltage
V
CEO(sus)
I
C
= 200mA, I
B
= 0, Note 1
V
(BR)EBO
I
E
= 0.1mA, I
C
= 0
I
CEO
V
CE
= 30V, I
B
= 0
I
CEX
V
CE
= 30V, V
BE(off)
= 1.5V, T
C
= +200
°
C
V
CE
= 65V, V
BE(off)
= 1.5V
I
EBO
V
BE
= 4V, I
C
= 0
40
–
–
V
Emitter–Base Breakdown Voltage
4
–
–
V
Collector Cutoff Current
–
–
0.1
mA
–
–
5.0
mA
–
–
1.0
mA
Emitter Cutoff Current
–
–
0.1
mA
Note 1. Pulsed thru a 25mH inductor.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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