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參數(shù)資料
| 型號： | NTE363 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Transistor RF Power Amp, PO = 4W |
| 中文描述： | 硅NPN晶體管射頻功率放大器，寶\u003d 4瓦 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 23K |
| 代理商： | NTE363 |
Electrical Characteristics (Cont’d):
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
RF Characteristics, Small–Signal
Output Capacitance
C
ob
C
ib
V
CB
= 12.5V, I
C
= 0
V
EB
= 500mV, I
C
= 0
–
–
25
pF
Input Capacitance
–
60
–
pF
RF Characteristics, Large–Signal
Amplifier Power Out
Amplifier Power Gain
P
O
P
g
Z
in
Z
out
470MHz/12.5V
4
–
–
W
8
–
–
dB
Input Impedance
2.0 + J.96
Output Impedance
6.0
–
J3.4
.225 (5.72)
B
E
C
E
.530
(13.46)
.063 (1.62)
.005 (0.15)
.123 (3.12)
.282 (7.17)
Dia
.630
(16.0)
Seating
Plane
8
–
32 NC
–
3A
Wrench Flat
.250 (6.35) Dia
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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