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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NTE361 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 2W @ 512MHz |
| 中文描述： | 硅NPN晶體管輸出功率保\u003d 2W的@ 512MHz |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 19K |
| 代理商： | NTE361 |
Electrical Characteristics (Cont’d):
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ON Characteristics
DC Current Gain
h
FE
V
CE
= 5V, I
C
= 100mA
20
–
200
Dynamic Characteristics
Output Capacitance
C
ob
V
CB
= 12.5V, I
E
= 0, f = 1MHz
–
–
15
pF
Functional Test
Common
–
Emitter Amplifier Power Gain
G
PE
η
P
OUT
= 2W, V
CC
= 12.5V, f = 470MHz
P
OUT
= 2W, V
CC
= 12.5V, f = 470MHz
8.0
–
–
dB
Collector Efficiency
50
–
–
%
45
°
.031 (.793)
.018 (0.45) Dia
Collector
Base
Emitter/Case
.370 (9.39) Dia Max
.355 (9.03) Dia Max
.260 (6.6)
Max
.500 (12.7)
Min
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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