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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NTE352 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 47k Resistors (Surface Mount) |
| 中文描述： | 硅晶體管互補(bǔ)數(shù)字瓦特/ 2內(nèi)置偏置47k電阻（表面貼裝） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 20K |
| 代理商： | NTE352 |
Electrical Characteristics (Cont’d):
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Dynamic Characteristics
Output Capacitance
C
ob
V
CB
= 15V, I
E
= 0, f = 0.1MHz
–
235
300
pF
Functional Tests
(V
CC
= 12.5V unless otherwise specified)
Common
–
Emitter Amplifier
Power Gain
G
PE
P
out
= 75W, f = 175MHz
7.0
8.5
–
dB
Collector Efficiency
η
P
out
= 75W, f = 175MHz
P
out
= 75W, f = 175MHz,
V
SWR
= 30:1, All Phase Angles
55
60
–
%
Load Mismatch
No Degradation in
Output Power
.205 (5.18)
.215 (5.48)
.122 (3.1) Dia
.155 (3.94)
.500 (12.7) Dia
.005 (0.15)
.160 (4.06)
.270
(6.85)
.405
(10.3)
Min
.725 (18.43)
.975 (24.78)
E
B
C
E
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTE353 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 4W @ 175MHz |
| NTE354 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 15W @ 175MHz |
| NTE355 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 30W @ 175MHz |
| NTE361 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 2W @ 512MHz |
| NTE363 | Silicon NPN Transistor RF Power Amp, PO = 4W |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTE353 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-PNP-SI-RF PO-4W 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT PNP 18V 1A 4-Pin |
| NTE354 | 制造商:NTE 制造商全稱(chēng):NTE Electronics 功能描述:Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 15W @ 175MHz |
| NTE355 | 制造商:NTE 制造商全稱(chēng):NTE Electronics 功能描述:Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 30W @ 175MHz |
| NTE357 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 35V 1A 4-Pin |
| NTE358C | 制造商:NTE Electronics 功能描述:CRYSTAL-3.579545 MHZ |
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