參數(shù)資料
型號： NTE335
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN RF Power Transistor Designed for power amplifier
中文描述： 硅npn型射頻功率晶體管設(shè)計(jì)用于功率放大器
文件頁數(shù)： 2/2頁
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代理商： NTE335
Electrical Characteristics (Cont’d):
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
ON Characteristics
DC Current Gain
Dynamic Characteristics
Output Capacitance
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
h
FE
I
C
= 5A, V
CE
= 5V
10
150
C
ob
V
CB
= 15V, I
E
= 0,
f = 1MHz
250
pF
Functional Tests
Common
Emitter Amplifier Power Gain
Collector Efficiency
Series Equivalent Input Impedance
Series Equivalent Output Impedance
Parallel Equivalent Input Impedance
G
pe
η
Z
in
Z
out
V
CC
= 12.5V,
80W
P
OUT
= 80W,
f = 30MHz
12
50
dB
%
.938
j.341
1.16
j.201
1.06
1817pF
1.19
777pF
Parallel Equivalent Output Impedance
.750
(19.05)
1.040 (26.4) Max
.520 (13.2)
.725 (18.42)
NTE335
NTE336
E
C
B
E
.975 (24.77)
.480 (12.1) Dia
1.061 (25.95)
Ceramic Cap
.225 (5.72)
.065
(1.68)
.095 (2.42)
.127 (3.17) Dia
(2 Holes)
.260
(6.6)
.250
(6.35)
E
E
C
B
.100 (2.54)
.005 (0.15)
.168 (4.27)
8
32
NC
3A
Wrench Flat
.230
(5.84)
.385
(9.8)
Dia
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTE336 Silicon NPN RF Power Transistor Designed for power amplifier
NTE337 RESISTOR, METAL STRIP R001 1W 1%RESISTOR, METAL STRIP R001 1W 1%; Resistor element type:Metal Strip; Resistance:0.001R; Case style:2512; Series:ULR; Power rating:1W; Tolerance, +:1%; Tolerance, -:1%; Temp, op. max:170(degree C);
NTE338 MINIATURE POWER RELAY
NTE471 Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 100W @ 30MHz
NTE338F Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NTE338 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 24V 3.5A 4-Pin
NTE338F 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver
NTE339 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 24V 7A 4-Pin
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