參數(shù)資料
型號： NTE3122
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Phototransistor Silicon NPN, Narrow Acceptance, High Sensitivity, Darlington
中文描述： 光電晶體管硅npn型，窄驗收，靈敏度高，達林頓
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 19K
代理商： NTE3122
NTE3122
Phototransistor
Silicon NPN, Narrow Acceptance,
High Sensitivity, Darlington
Features:
Epoxy Resin Package
Narrow Acceptance:
=
±
13
°
Typ
High Sensitivity: I
C
= 1.5mA Min @ E
e
= 0.1mW/cm
2
Visible Light Cut–Off
Applications:
VCRs, Cassette Tape Recorders
Floppy Disk Drives
Optoelectronic Switches
Automatic Stroboscopes
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Collector Voltage, V
ECO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Power Disspation, P
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, T
opr
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lead Temperature, T
L
During Soldering, 1.4mm from bottom face of resin package, 5sec
35V
6V
50mA
75mW
–25
°
to +85
°
C
–40
°
to +85
°
C
+260
°
C
. . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics:
Parameter
Collector Current
Symbol
I
C
Test Conditions
V
CE
= 2V, E
e
= 0.1mW/cm
2
,
Note 1
V
CE
= 10V, E
e
= 0
Min
1.5
Typ
–
Max
4.0
Unit
mA
Collector Dark Current
Collector–Emitter Saturation Voltage V
CE(sat)
I
C
= 1.5mA, E
e
= 1mW/cm
2
,
I
CBO
–
–
–
10
–6
1.0
A
V
Note 1
0.7
Peak Emission Wavelength
Response Time (Rise)
Response Time (Fall)
λ
P
t
r
t
f
–
–
–
860
80
70
–
–
–
nm
μ
s
μ
s
V
CE
= 2V, I
C
= 10mA, R
L
= 100
Note 1. E
e
: Irradiance by CIE standard light source A (tungsten lamp).
相關PDF資料
PDF描述
NTE3123 Phototransistor Silicon NPN, Intermediate Acceptance, High Sensitivity, Darlington
NTE312 N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor
NTE313 Silicon NPN Transistor High Gain, Low Noise, VHF Mixer and VHF/RF Amp
NTE314 Silicon Controlled Rectifier (SCR) Power Regulator Switch
NTE315 Silicon NPN Transistor, Medium Power Amp
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NTE3123 制造商:NTE Electronics 功能描述:Phototransistor IR Chip Silicon NPN Darlington 860nm 2-Pin
NTE313 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-NPN- SI-VHF TUNER AMP 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 0.02A 3-Pin
NTE3130 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-1 3/4 Yellow diff Yellow blinking 制造商:NTE Electronics 功能描述:LED Uni-Color Yellow 590nm 2-Pin T-1 3/4
NTE3131 制造商:NTE Electronics 功能描述:LED-BLINKING GREEN 5MM 3.0HZ FREQUENCY 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-1 3/4 GRN BLINKING 制造商:NTE Electronics 功能描述:LED Uni-Color Green 560nm 2-Pin T-1 3/4
NTE3132 制造商:NTE Electronics 功能描述:LED-1.8MM HIGH EFFICIENCYYELLOW/GREEN 500 MCD
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*