參數(shù)資料
型號(hào)： NTE2974
廠商： NTE Electronics, Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 25K
代理商： NTE2974
NTE2974
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
Low On–State Resistance: R
DS(on)
= 1.1
Max (V
GS
= 10V, I
D
= 3A)
Low Input Capacitance: C
iss
= 1150pF Typ
High Avalanche Capability Ratings
Isolated TO220 Type Package
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Drain–to–Source Voltage, V
DSS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Gate–to–Source Voltage, V
GSS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Drain Current, I
D
DC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pulse (Note 1)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Power Dissipation, P
T
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
A
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Single Avalanche Current (Note 2), I
AS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Single Avalanche Energy (Note 2), E
AS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Channel Temperature, T
ch
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. PW
≤
10
μ
s, Duty Cycle
≤
1%.
Note 2. Starting T
ch
= +25
°
C, R
G
= 25
, V
GS
= 20V
→
0.
600V
±
30V
±
6.0A
±
24A
35W
2.0W
6.0A
12mJ
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
Drain–to–Source On–State Resistance
R
DS(on)
V
GS(off)
|y
fs
|
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 10V, I
D
= 3A
V
DS
= 10V, I
D
= 1mA
V
DS
= 10V, I
D
= 3A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0
V
GS
=
±
30V, V
DS
= 0
–
0.8
1.1
Gate–to–Source Cutoff Voltage
2.5
–
3.5
Forward Transfer Admittance
2.0
–
–
S
μ
A
nA
Drain Leakage Current
–
–
100
±
100
Gate–to–Source Leakage Current
–
–
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