參數(shù)資料
型號： NTE2980
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Dual Channel, 1/1, 25Mbps Digital Isolator 8-SOIC -40 to 125
中文描述： 邏輯電平MOSFET N溝道，增強模式高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 24K
代理商： NTE2980
NTE2980
Logic Level MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
Dynamic dv/dt Rating
Logic Level Gate Drive
R
DS
(on) Specified at V
GS
= 4V & 5V
Fast Switching
Absolute Maximum Ratings:
Drain Current, I
D
Continuous (V
GS
= 5V)
T
C
= +25
°
C
T
C
= +100
°
C
Pulsed (Note 1)
Total Power Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C
Total Power Dissipation (PC Board Mount, T
C
= +25
°
C, Note 2), P
D
Derate Above 25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Gate–Source Voltage, V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 3), E
AS
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4), dv/dt
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec), T
L
Maximum Thermal Resistance:
Junction–to–Case, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Junction–to–Ambient (PCB Mount, Note 2), R
thJA
Junction–to–Ambient, R
thJA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.7A
4.9A
31A
25W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.20W/
°
C
2.5W
0.02W/
°
C
±
10V
47mJ
4.5V/ns
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–55
°
to +150
°
C
–55
°
to +150
°
C
. . . . . . . . . .
+260
°
C
5.0
°
C/W
50
°
C/W
110
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. When mounted on a 1” square PCB (FR–4 or G–10 material).
Note 3. L = 924
μ
H, V
DD
= 25V, R
G
= 25
, Starting T
J
= +25
°
C, I
AS
= 7.7A.
Note 4. I
SD
≤
10A, di/dt
≤
90A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
J
≤
+150
°
C.
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PDF描述
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