參數(shù)資料
型號： NTE2932
廠商： NTE Electronics, Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 24K
代理商： NTE2932
NTE2932
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower R
DS
(on): 0.071
Typ
Lower Leakage Current: 10
μ
A (Max) @ V
DS
= 200V
Absolute Maximum Ratings:
Drain–to–Source Voltage, V
DSS
Drain Current, I
D
Continuous
T
C
= +25
°
C
T
C
= +100
°
C
Pulsed (Note 1)
Total Power Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C
Gate–Source Voltage, V
GS
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), E
AS
Avalanche Current (Note 1), I
AR
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E
AR
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt
Operating Junction Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T
L
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R
thJA
Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. L = 2mH, I
AS
= 21.3A, V
DD
= 50V, R
G
= 27
, Starting T
J
= +25
°
C.
Note 3. I
SD
≤
32A, di/dt
≤
320A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, Starting T
J
= +25
°
C.
200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
21.3A
13.5A
130A
90W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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0.72W/
°
C
±
30V
605mJ
21.3A
9mJ
5.0V/ns
–55
°
to +150
°
C
–55
°
to +150
°
C
+300
°
C
1.38
°
C/W
40
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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