參數(shù)資料
型號： NTE268
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
中文描述： 硅達林頓晶體管互補功率放大器
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 21K
代理商： NTE268
NTE268 (NPN) & NTE269 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Darlington Power Amplifier
Description:
The NTE268 (NPN) and NTE269 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO202
type package designed for amplifier and driver applications where high gain is an essential require-
ment, low power lamp and relay drivers and power drivers for high–current applications such as volt-
age regulators.
Features:
Low Collector–Emitter Saturation Voltage: V
CE(sat)
= 1.5V Max @ I
C
= 1.5A
TO202 Type Package: 2W Free Air Dissipation @ T
A
= +25
°
C
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
Collector–Emitter Voltage, V
CES
Emitter–Base Voltage, V
EBO
Colllector Current, I
C
Continuous
Peak (Note 2)
Continuous Base Current, I
B
Total Power Dissipation (T
A
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C (Note 3)
Total Power Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C
Operating Junction Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R
thJA
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
Note 1. The
NTE268
is a
discontinued
device and no longer available.
Note 2. Pulse Width
≤
25ms, Duty Cycle
≤
50%.
Note 3. The actual power dissipation capability of the TO202 type package is 2W @ T
A
= +25
°
C.
50V
50V
13V
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2A
3A
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100mA
1.67W
13.3mW/
°
C
10W
80mW/
°
C
–55
°
to +150
°
C
–55
°
to +150
°
C
75
°
C/W
12.5
°
C/W
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