參數(shù)資料
型號： NTE2579
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch
中文描述： 硅NPN晶體管高壓，高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 19K
代理商： NTE2579
NTE2579
Silicon NPN Transistor
High Voltage, High Speed Switch
Features:
Fast Switching Speed
Low Saturation Voltage
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pulse
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Base Current, I
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Rqange, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
400V
200V
6V
7A
12A
4A
50W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
Test Conditions
V
CB
= 250V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 1V, I
C
= 1A
V
CE
= 1V, I
C
= 5A
V
CE
= 10V, I
C
= 500mA
I
C
= 5A, I
B
= 500mA
I
C
= 5A, I
B
= 500mA
V
(BR)CBO
I
C
= 1A, I
E
= 0
V
(BR)CEO
I
C
= 1mA, R
BE
=
∞
V
(BR)EBO
I
E
= 1mA, I
C
= 0
t
f
V
CC
= 50V, I
C
= 5A,
I
B1
= –I
B2
= 500mA,
Pulse Width = 20
μ
s,
Duty Cycle
≤
1%
Min
–
–
15
10
10
–
–
400
200
6
–
Typ
–
–
–
–
40
–
–
–
–
–
–
Max Unit
100
100
–
50
–
0.8
1.5
–
–
–
0.3
μ
A
μ
A
Gain–Bandwidth Product
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Fall Time
f
T
MHz
V
V
V
V
V
μ
s
V
CE(sat)
V
BE(sat)
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PDF描述
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