參數資料
型號： NTE2389
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Quad Differential Comparator 14-TSSOP -40 to 125
中文描述： MOSFET的N溝道，增強模式高速開關
文件頁數： 1/2頁
文件大小： 23K
代理商： NTE2389
NTE2389
MOSFET
N–Ch, Enhancement Mode
High Speed Switch
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Drain–Source Voltage, V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Drain–Gate Voltage (R
GS
= 20k
), V
DGR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Drain Current, I
D
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pulsed
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Gate–Source Voltage, V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Power Dissipation, P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R
thJA
60V
60V
35A
152A
±
30V
125W
+175
°
C
–55
°
to +175
°
C
1.2
°
C/W
60
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Static Ratings
Drain–Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BV
DSS
V
GS(th)
I
DSS
I
D
= 0.25mA, V
GS
= 0
I
D
= 1mA, V
DS
= V
GS
V
DS
= 60V,
V
GS
= 0
60
2.1
–
–
–
–
–
–
V
V
μ
A
mA
nA
m
3.0
1
0.1
10
40
4.0
10
1.0
100
45
Zero Gate Voltage Drain Current
T
J
= +25
°
C
T
J
= +125
°
C
Gate–Source Leakage Current
Drain–Source On–State Resistance
Dynamic Ratings
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
I
GSS
R
DS(on)
V
GS
=
±
30V, V
DS
= 0
I
D
= 20A, V
GS
= 10V
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
I
D
= 20A, V
DS
= 25V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0, f = 1MHz
8
–
–
–
13.5
1650 2000
560
300
–
mhos
pF
pF
pF
750
400
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