參數(shù)資料
型號： NTE229
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN Transistor VHF Oscillator, Mixer, IF Amp
中文描述： 硅NPN晶體管高頻振蕩器，混頻器，中頻放大器
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 20K
代理商： NTE229
NTE229
Silicon NPN Transistor
VHF Oscillator, Mixer, IF Amp
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
Collector–Base Voltage, V
CBO
Emitter–Base Voltage, V
EBO
Collector Current, I
C
Total Power Dissipation (T
A
= +25
°
C), P
T
Derate above +25
°
C
Operating Junction Temperature, T
J
Storage Temperature Range, T
stg
Lead Temperature (During Soldering, 1/16”
±
1/32” from case, 10sec), T
L
30V
30V
3V
50mA
425mW
5mW/
°
C
+150
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–55
°
to +150
°
C
+230
°
C
. . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
DC Current Gain
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Base–Emitter ON Voltage
Current Gain–Bandwidth Product
Symbol
V
(BR)CBO
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
V
(BR)EBO
I
E
= 100
μ
A, I
C
= 0
I
CBO
V
CB
= 30V, I
E
= 0
h
FE
I
C
= 5mA, V
CE
= 10V
V
CEO(sus)
I
C
= 1mA, I
B
= 0
V
BE(on)
I
C
= 5mA, V
CE
= 10V
f
T
I
C
= 5mA, V
CE
= 10V,
f = 100MHz
G
pe
V
CC
= 12V, V
BB
= 2.5V,
f = 45MHz
C
cb
I
E
= 0, V
CB
= 15V, f = 1MHz
NF
V
CC
= 12V, f = 45MHz
Test Conditions
Min
30
3
–
30
30
–
500
Typ
–
–
–
–
–
–
–
Max
–
–
200
225
–
0.85
–
Unit
V
V
nA
V
V
MHz
Power Gain
28
–
–
dB
Collector–Base Capacitance
Noise Figure
–
–
–
–
0.4
6
pF
dB
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