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參數(shù)資料
| 型號： | NTD4813N |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | 30V,40A,Single N Channel,DPAK/IPAK Power MOSFET(30V,40A,N溝道功率MOSFET) |
| 中文描述： | 30V的，40A條，單個(gè)N頻道，采用DPAK /像是iPak功率MOSFET（30V的，40A條，?溝道功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | NTD4813N |
NTD4813N
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Unit
Max
Typ
Min
Test Condition
Symbol
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Note 4)
TurnOn Delay Time
t
d(ON)
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A, R
G
= 3.0
5.0
ns
Rise Time
t
r
48
TurnOff Delay Time
t
d(OFF)
17
Fall Time
t
f
2.4
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25
°
C
0.8
1.2
V
T
J
= 125
°
C
0.9
Reverse Recovery Time
t
RR
V
GS
= 0 V, dIs/dt = 100 A/ s,
I
S
= 30 A
16
ns
Charge Time
t
a
10
Discharge Time
t
b
5.6
Reverse Recovery Charge
Q
RR
7.0
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L
S
T
A
= 25
°
C
2.49
nH
Drain Inductance, DPAK
L
D
0.0164
Drain Inductance, IPAK
L
D
1.88
Gate Inductance
L
G
3.46
Gate Resistance
R
G
2.5
3. Pulse Test: pulse width
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
300 s, duty cycle
2%.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| NTD4813NH-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD4813NH-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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