參數(shù)資料
型號： NTD25P03LT4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 25 A, 30 V, 0.08 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： NTD25P03LT4
NTD25P03L
http://onsemi.com
7
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 13. Thermal Response
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
t
rr
t
a
t
p
I
S
0.25 I
S
TIME
I
S
t
b
1.0E05
1.0E04
1.0E02
0.1
1
0.01
1.0E03
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
0.1
0.2
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.02
t, TIME (s)
R
JC
(t) = r(t) R
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
r
R
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTD3055-150 Power MOSFET 9.0Amps, 60Volts N-Channel DPAK(9.0A, 60V，N通道，DPAK封裝的功率MOSFET)
NTD3055L104 Power MOSFET
NTD3055L104G Power MOSFET
NTD3055L104T4 Power MOSFET
NTD3055L104T4G Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTD25P03LT4G 功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTD25P03LT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V 25A D-PAK
NTD25P03LT4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:NTD Series P-Channel 30 V 51 mOhm 75 W Tab Mount Power MOSFET - TO-252
NTD26N08/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:80 V Power MOSFET
NTD2955 功能描述:MOSFET -60V -12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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