參數資料
型號： NTD15N06
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts
中文描述： 15 A, 60 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數： 2/10頁
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代理商： NTD15N06
NTD15N06
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
DraintoSource Breakdown Voltage (Note 3)
(V
GS
= 0 Vdc, I
D
= 250 Adc)
Temperature Coefficient (Positive)
V
(BR)DSS
60
68
54.4
Vdc
mV/
°
C
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
DS
= 60 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
(V
DS
= 60 Vdc, V
GS
= 0 Vdc, T
J
= 150
°
C)
I
DSS
1.0
10
Adc
GateBody Leakage Current (V
GS
=
±
20
Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
±
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 3)
Gate Threshold Voltage (Note 3)
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 Adc)
Threshold Temperature Coefficient (Negative)
V
GS(th)
2.0
2.9
6.3
4.0
Vdc
mV/
°
C
Static DraintoSource OnResistance (Note 3)
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 7.5 Adc)
R
DS(on)
76
90
m
Static DraintoSource OnVoltage (Note 3)
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 15 Adc)
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 7.5 Adc, T
J
= 150
°
C)
V
DS(on)
1.2
1.08
1.62
Vdc
Forward Transconductance (Note 3) (V
DS
= 7.0 Vdc, I
D
= 6.0 Adc)
g
FS
6.7
mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C
iss
325
450
pF
Output Capacitance
(V
DS
= 25 Vdc, V
= 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C
oss
108
150
Transfer Capacitance
C
rss
34
70
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Note 4)
TurnOn Delay Time
t
d(on)
10
15
ns
Rise Time
(V
= 48 Vdc, I
= 15 Adc,
V
GS
= 10 Vdc, R
G
= 9.1 ) (Note 3)
t
r
25
70
TurnOff Delay Time
t
d(off)
14
50
Fall Time
t
f
13
50
Gate Charge
Q
T
12
20
nC
(V
DS
= 48 Vdc, I
= 15 Adc,
V
GS
= 10 Vdc) (Note 3)
Q
1
4.1
Q
2
4.5
SOURCEDRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward OnVoltage
(I
S
= 15 Adc, V
GS
= 0 Vdc) (Note 3)
(I
S
= 15 Adc, V
GS
= 0 Vdc, T
J
= 150
°
C)
V
SD
0.96
0.83
1.15
Vdc
Reverse Recovery Time
t
rr
35
ns
(I
S
= 15 Adc, V
= 0 Vdc,
dI
S
/dt = 100 A/ s) (Note 3)
t
a
27
t
b
7.4
Reverse Recovery Stored Charge
Q
RR
0.050
C
3. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, Duty Cycle
≤
2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
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