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參數資料
| 型號： | NTB13N10 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET 13 Amps, 100 Volts N–Channel Enhancement–Mode(13 A, 100 V，N通道，增強模式功率MOSFET) |
| 中文描述： | 13 A, 100 V, 0.165 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 418B-04, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 11/12頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | NTB13N10 |
NTB13N10
http://onsemi.com
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Notes
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB18N06L | Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level (N−Channel TO−220 and DPAK) |
| NTB18N06LT4 | Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level (N−Channel TO−220 and DPAK) |
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| NTP18N06L | Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level (N−Channel TO−220 and DPAK) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NTB13N10G | 功能描述:MOSFET 100V 13A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB13N10T4 | 功能描述:MOSFET 100V 13A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB13N10T4G | 功能描述:MOSFET 100V 13A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB-1401 | 制造商:QUEST TECHNOLOGY 功能描述:IVORY 4C RJ-11 SINGLE SURFACE BOX |
| NTB-1402 | 制造商:Quest Tech. 功能描述:Conn RJ-11 F 4 POS ST Cable Mount 4 Terminal 1 Port |
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