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參數(shù)資料
| 型號： | NSBA114YDXV6T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | NSBA114YDXV6T1 |
NSBA114EDXV6T1, NSBA114EDXV6T5 SERIES
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted, common for Q
1
and Q
2
) (continued)
Characteristic
Unit
Max
Typ
Min
Symbol
ON CHARACTERISTICS
(Note 3) (continued)
DC Current Gain
(V
CE
= 10 V, I
C
= 5.0 mA)
NSBA114EDXV6T1
NSBA124EDXV6T1
NSBA144EDXV6T1
NSBA114YDXV6T1
NSBA114TDXV6T1
NSBA143TDXV6T1
NSBA113EDXV6T1
NSBA123EDXV6T1
NSBA143EDXV6T1
NSBA143ZDXV6T1
NSBA124XDXV6T1
NSBA123JDXV6T1
NSBA115EDXV6T1
NSBA144WDXV6T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
140
130
140
Output Voltage (on)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V, R
L
= 1.0 k )
NSBA114EDXV6T1
NSBA124EDXV6T1
NSBA114YDXV6T1
NSBA114TDXV6T1
NSBA143TDXV6T1
NSBA113EDXV6T1
NSBA123EDXV6T1
NSBA143EDXV6T1
NSBA143ZDXV6T1
NSBA124XDXV6T1
NSBA123JDXV6T1
NSBA144EDXV6T1
NSBA115EDXV6T1
NSBA144WDXV6T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V, R
L
= 1.0 k )
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
Vdc
Output Voltage (off) (V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.05 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V, R
L
= 1.0 k )
NSBA113EDXV6T1
NSBA114TDXV6T1
NSBA143TDXV6T1
NSBA123EDXV6T1
NSBA143ZDXV6T1
V
OH
4.9
Vdc
Input Resistor
NSBA114EDXV6T1
NSBA124EDXV6T1
NSBA144EDXV6T1
NSBA114YDXV6T1
NSBA114TDXV6T1
NSBA143TDXV6T1
NSBA113EDXV6T1
NSBA123EDXV6T1
NSBA143EDXV6T1
NSBA143ZDXV6T1
NSBA124XDXV6T1
NSBA123JDXV6T1
NSBA115EDXV6T1
NSBA144WDXV6T1
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
k
Resistor Ratio
NSBA114EDXV6T1/NSBA124EDXV6T1/
NSBA144EDXV6T1/NSBA115EDXV6T1
NSBA114YDXV6T1
NSBA114TDXV6T1/NSBA143TDXV6T1
NSBA113EDXV6T1/NSBA123EDXV6T1/NSBA143EDXV6T1
NSBA143ZDXV6T1
NSBA124XDXV6T1
NSBA123JDXV6T1
NSBA144WDXV6T1
R
1
/R
2
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
3. Pulse Test: Pulse Width < 300 s, Duty Cycle < 2.0%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NSBC143TPDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC144EPDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC114EPDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC114EPDXV6T5 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC114YPDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NSBA114YDXV6T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBA114YDXV6T5 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBA114YDXV6T5G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBA114YF3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 k |
| NSBA114YF3T5G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SOT-1123 NBRT TRNSTR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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