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參數(shù)資料
| 型號： | NSBA114YDXV6T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | NSBA114YDXV6T1 |
NSBA114EDXV6T1, NSBA114EDXV6T5 SERIES
http://onsemi.com
2
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device*
Package
Marking
R1 (k )
R2 (k )
NSBA114EDXV6T1 / T5
SOT563
0A
10
10
NSBA124EDXV6T1 / T5
SOT563
0B
22
22
NSBA144EDXV6T1 / T5
SOT563
0C
47
47
NSBA114YDXV6T1 / T5
SOT563
0D
10
47
NSBA114TDXV6T1 / T5
(Note 2)
SOT563
0E
10
∞
NSBA143TDXV6T1 / T5
(Note 2)
SOT563
0F
4.7
∞
NSBA113EDXV6T1 / T5
(Note 2)
SOT563
0G
1.0
1.0
NSBA123EDXV6T1 / T5
(Note 2)
SOT563
0H
2.2
2.2
NSBA143EDXV6T1 / T5
(Note 2)
SOT563
0J
4.7
4.7
NSBA143ZDXV6T1 / T5
(Note 2)
SOT563
0K
4.7
47
NSBA124XDXV6T1 / T5
(Note 2)
SOT563
0L
22
47
NSBA123JDXV6T1 / T5
(Note 2)
SOT563
0M
2.2
47
NSBA115EDXV6T1 / T5
(Note 2)
SOT563
0N
100
100
NSBA144WDXV6T1
(Note 2)
SOT563
0P
47
22
*The “G’’ suffix indicates PbFree package available. Refer to Ordering Information Table on page 1.
2. New resistor combinations. Updated curves to follow in subsequent data sheets.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted, common for Q
1
and Q
2
)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Cutoff Current (V
CB
= 50 V, I
E
= 0)
I
CBO
100
nAdc
Collector-Emitter Cutoff Current (V
CE
= 50 V, I
B
= 0)
I
CEO
500
nAdc
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
= 6.0 V, I
C
= 0)
NSBA114EDXV6T1
NSBA124EDXV6T1
NSBA144EDXV6T1
NSBA114YDXV6T1
NSBA114TDXV6T1
NSBA143TDXV6T1
NSBA113EDXV6T1
NSBA123EDXV6T1
NSBA143EDXV6T1
NSBA143ZDXV6T1
NSBA124XDXV6T1
NSBA123JDXV6T1
NSBA115EDXV6T1
NSBA144WDXV6T1
I
EBO
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
mAdc
Collector-Base Breakdown Voltage (I
C
= 10 A, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
50
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 3) (I
C
= 2.0 mA, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
50
Vdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 3)
Collector-Emitter Saturation Voltage (I
C
= 10 mA, I
E
= 0.3 mA)
(I
C
= 10 mA, I
B
= 5 mA)
NSBA113EDXV6T1/NSBA123EDXV6T1
(I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA)
NSBA114TDXV6T1/NSBA143TDXV6T1
NSBA143EDXV6T1/NSBA143ZDXV6T1/NSBA124XDXV6T1
V
CE(sat)
0.25
Vdc
3. Pulse Test: Pulse Width < 300 s, Duty Cycle < 2.0%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NSBC143TPDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC144EPDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC114EPDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC114EPDXV6T5 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
| NSBC114YPDXV6T1 | Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NSBA114YDXV6T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBA114YDXV6T5 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBA114YDXV6T5G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| NSBA114YF3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 k |
| NSBA114YF3T5G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SOT-1123 NBRT TRNSTR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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