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參數(shù)資料
| 型號： | NP34N055IHE |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | NP34N055IHE |
Data Sheet D14153EJ3V0DS
6
NP34N055HHE, NP34N055IHE
PACKAGE DRAWINGS (Unit : mm)
1)TO-251 (MP-3) 2)TO-252 (MP-3Z)
5.0
±
0.2
2.3
±
0.2
0.5
±
0.1
1.1
±
0.2
6.5
±
0.2
2.3 TYP.
2.3 TYP.
0
5
±
0
1
±
0
7
1
1
+
0
0
0.5
+
0.2
0.5
+
0.2
5.0
±
0.2
0.5
±
0.1
1.1
±
0.2
0.9 MAX.
0.8 MAX.
0.8 TYP.
2.3 TYP.
2.3 TYP.
6.5
±
0.2
2.3
±
0.2
4
0
2
M
1
1
1
+
0
0
1
0
5
±
0
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When
this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated
voltage may be applied to this device.
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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