- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361130 > NP34N055IHE (NEC Corp.) Switching N-channel power MOS FET industrial use PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NP34N055IHE |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | NP34N055IHE |
Data Sheet D14153EJ3V0DS
5
NP34N055HHE, NP34N055IHE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
45
Pulsed
T
ch
- Channel Temperature -
C
R
D
50
0
50
100
150
I
D
= 17 A
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V
GS
= 10 V
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1.0
I
S
0
1.5
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
0.5
Pulsed
V
GS
= 10 V
0.1
1
10
100
1000
V
GS
= 0 V
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
0.1
1
10
100
V
= 0 V
f = 1 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
10000
1000
100
10
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
10
1
0.1
1
100
1000
10
100
t
f
t
d(on)
t
d(off)
t
r
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
F
- Drain Current - A
t
r
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
1
0.1
10
1
10
100
1000
100
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
G
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
4
8
16
80
70
60
50
40
30
20
10
00
12
16
14
12
10
8
6
4
2
0
I
D
= 34 A
V
DS
24
28
20
32
V
DD
= 44 V
28 V
11 V
V
GS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP84N055NLE | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP84N055CLE-S12-AZ | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP84N055DLE-S12-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP84N055ELE-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP84N055ELE-E2-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NP34N055ILE | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-252AA |
| NP34N055SHE-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| NP34N055SLE-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| NP34W | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 3-G, 3 STRP MT BLANK, WH |
| NP3500SAMCT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:50A, Ultra Low Capacitance TSPD |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。