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參數(shù)資料
| 型號： | NP34N055IHE |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關功率場效應晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | NP34N055IHE |
Data Sheet D14153EJ3V0DS
3
NP34N055HHE, NP34N055IHE
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
d
0
25
50
75
100
125
150
175
200
20
40
60
80
100
T
C
- Case Temperature - C
0
Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
T
C
- Case Temperature -
C
P
T
0
25
50
75
100
125
150
175
200
140
120
100
80
60
40
20
0
Figure3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
1
10
100
I
D
0.1
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
1
10
100
1000
0.1
100
μ
s
1
ms
PW
=
10
μ
s
I
D(pulse)
I
D(DC)
Powe Dsspaion
DC
R
DS(on)
=10V)
(a V
GS
T
C
= 25C
Single Pulse
Figure4. SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
Starting T
ch
- Starting Channel Temperature -
C
E
A
-
25
50
75
100
125
150
175
120
100
80
60
40
20
0
I
= 10 A
27 A
34 A
72 mJ
100 mJ
11 mJ
Figure5. TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
(
C
10
0.01
0.1
1
100
1000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
Single Pulse
T
C
= 25
C
10
μ
100
μ
R
th(ch-C)
= 1.70
C/W
R
th(ch-A)
= 125
C/W
#
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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