參數(shù)資料
型號(hào)： NP32N055ILE
廠商： NEC Corp.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述： N溝道 開關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí)
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： NP32N055ILE
Data Sheet D14137EJ3V0DS
6
NP32N055HLE, NP32N055ILE
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-251 (MP-3)
2) TO-252 (MP-3Z)
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When
this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated
voltage may be applied to this device.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
2
1
3
6.5±0.2
5.0±0.2
4
1
0
+
5
7
1
2.3
2.3
0
0.5±0.1
2.3±0.2
1
1.3 MAX.
0.6±0.1
0.6±0.1
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
1
2
3
4
6.5±0.2
5.0±0.2
4
0
2.3 2.3
0.9
MAX.
5
1
2
M
1
0
+
2.3±0.2
0.5±0.1
0.8
MAX.
0.8
1
1
0
1.3 MAX.
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NP34N055HHE Switching N-channel power MOS FET industrial use
NP34N055IHE Switching N-channel power MOS FET industrial use
NP84N055NLE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP84N055CLE-S12-AZ MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP84N055DLE-S12-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NP32N055SDE-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NP32N055SHE-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NP32N055SLE-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NP32N055SLE-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP32N055SLE-E1-AZ_NEC 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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