參數(shù)資料
型號(hào)： NP32N055ILE
廠商： NEC Corp.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述： N溝道 開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí)
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 68K
代理商： NP32N055ILE
1999
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP32N055HLE, NP32N055ILE
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
INDUSTRIAL USE
DATA SHEET
Document No.
Date Published
Printed in Japan
D14137EJ3V0DS00 (3rd edition)
March 2001 NS CP(K)
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DESCRIPTION
These products are N-channel MOS Field Effect
Transistor designed for high current switching
applications.
FEATURES
Channel temperature 175 degree rated
Super low on-state resistance
R
DS(on)1
= 24 m
MAX. (V
GS
= 10 V, I
D
= 16 A)
R
DS(on)2
= 29 m
MAX. (V
GS
= 5.0 V, I
D
= 16 A)
Low C
iss
: C
iss
= 1300 pF TYP.
Built-in gate protection diode
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25°C)
Drain to Source Voltage
V
DSS
55
V
Gate to Source Voltage
V
GSS
±
20
V
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Note1
I
D(DC)
±
32
A
I
D(pulse)
±
100
A
Total Power Dissipation (T
A
= 25°C)
P
T
1.2
W
Total Power Dissipation (T
C
= 25°C)
Single Avalanche Current
Note2
P
T
66
W
I
AS
28 / 21 / 8
A
Single Avalanche Energy
Note2
E
AS
7.8 / 44 / 64
mJ
Channel Temperature
T
ch
175
°C
Storage Temperature
T
stg
–55 to +175
°C
Notes 1.
PW
≤
10
μ
s, Duty cycle
≤
1 %
2.
Starting T
ch
= 25°C, R
G
= 25
, V
GS
= 20 V
→
0 V (See Figure 4.)
THERMAL RESISTANCE
Channel to Case
R
th(ch-C)
2.27
°C/W
Channel to Ambient
R
th(ch-A)
125
°C/W
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
PACKAGE
NP32N055HLE
TO-251
NP32N055ILE
TO-252
The mark
#
shows major revised points.
(TO-251)
(TO-252)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NP34N055HHE Switching N-channel power MOS FET industrial use
NP34N055IHE Switching N-channel power MOS FET industrial use
NP84N055NLE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP84N055CLE-S12-AZ MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP84N055DLE-S12-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NP32N055SDE-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NP32N055SHE-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NP32N055SLE-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NP32N055SLE-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP32N055SLE-E1-AZ_NEC 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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