參數(shù)資料
型號: NP32N055ILE
廠商: NEC Corp.
元件分類: MOSFETs
英文描述: Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述: N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級
文件頁數(shù): 4/8頁
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代理商: NP32N055ILE
Data Sheet D14137EJ3V0DS
4
NP32N055HLE, NP32N055ILE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
1
0.1
0.01
10
100
Pulsed
1.0
2.0
3.0
4.0
6.0
5.0
V
DS
= 10 V
T
A
=
55
C
25
C
75
C
150
C
175
C
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
00
40
100
120
80
60
1
2
3
4
Pulsed
V
GS
=10 V
5.0 V
4.5 V
20
5
6
7
8
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
100
Pul = 10 V
V
DS
I
D
- Drain Current - A
f
0.01
0.1
1
10
100
10
0.01
0.1
1
T
= 175
C
75
C
25
C
55
C
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
40
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
00
2
4
6
8
10 12
14
16 18
20
10
20
30
Pulsed
I
D
= 16 A
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1
0.1
10
100
Pulsed
V
GS
= 10 V
5.0 V
4.5 V
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
3.0
T
ch
- Channel Temperature -
C
V
G
V
DS
= V
I
D
= 250 A
0
1.0
2.0
50
0
50
100
150
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PDF描述
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NP32N055SLE-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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