參數(shù)資料
型號: NP043A2
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
中文描述: 80 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, SSSMINI6-F1, 6 PIN
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 109K
代理商: NP043A2
Composite Transistors
NP043A2
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
1
Publication date: April 2004
SJJ00285AED
For digital circuits
Features
SSS-Mini type 6-pin package, reduction of the mounting area and
assembly cost by one half
Maximum package height (0.4 mm) contributes to develop thinner
equipments
Basic Part Number
UNR31A2
+
UNR32A2
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: 7T
Internal Connection
Unit: mm
0 to 0.02
6
5
4
1
2
3
1
±
0
(
0
1.00
±
0.05
Display at No.1 lead
0
±
0
0
(0.35)
(0.35)
0
+
-
0
0.12
+0.02
-
4
Tr1
R
2
22 k
R
2
22 k
R
1
22 k
R
1
22 k
Tr2
5
6
1
3
2
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
V
CEO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V, R
L
=
1 k
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
50
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
0.1
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
I
EBO
0.5
Emitter-base cutoff current (Collector open)
0.2
mA
Forward current transfer ratio
h
FE
60
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
V
OH
0.25
V
Output voltage high level
4.9
V
Output voltage low level
V
OL
0.2
V
Input resistance
R
1
30%
22
+
30%
k
Resistance ratio
R
1
/ R
2
0.8
1.0
1.2
Transition frequency
f
T
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
200 MHz
150
MHz
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Tr1
1: Emitter (Tr1)
2: Base (Tr1)
3: Collector (Tr2)
4: Emitter (Tr2)
5: Base (Tr2)
6: Collector (Tr1)
SSSMini6-F1 Package
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Tr1
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Collector current
I
C
80
50
mA
Tr2
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Collector current
I
C
80
mA
Overall
Total power dissipation
P
T
125
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NP061A3 Silicon PNP epitaxial planar transistor
NP32N055ILE Switching N-channel power MOS FET industrial use
NP34N055HHE Switching N-channel power MOS FET industrial use
NP34N055IHE Switching N-channel power MOS FET industrial use
NP84N055NLE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NP043A200A 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN SSS MINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):70mA,100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k,2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz,200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
NP043A300A 功能描述:TRANS ARRAY NPN/PNP WRES SSSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):70mA,100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k,2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz,200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
NP0450100A 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN SSSMINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大):- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
NP04SA100M 功能描述:INDUCTOR 10UH 900MA 20% SMD RoHS:是 類別:電感器,線圈,扼流圈 >> 固定式 系列:NP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H(7.94mm x 2.92mm x 3.43mm) 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz
NP04SA220M 功能描述:INDUCTOR 22UH 530MA 20% SMD RoHS:是 類別:電感器,線圈,扼流圈 >> 固定式 系列:NP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H(7.94mm x 2.92mm x 3.43mm) 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz