參數(shù)資料
型號： NP061A3
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar transistor
中文描述： 80 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSSMINI6-F1, 6 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： NP061A3
1
Publication date: July 2003
SJJ00258BED
Composite Transistors
NP061A3
Silicon PNP epitaxial planar transistor
For digital circuits
■
Features
SSS-Mini type 6-pin package, reduction of the mounting area and
assembly cost by one half
Maximum package height (0.4 mm) contributes to develop thinner
equipments
■
Basic Part Number
UNR31A3
×
2
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
1: Emitter (Tr1)
2: Emitter (Tr2)
3: Base (Tr2)
4: Collector (Tr2)
5: Base (Tr1)
6: Collector (Tr1)
SSSMini6-F1 Package
Unit: mm
Internal Connection
Marking Symbol: 1P
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
V
CEO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
50
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
0.1
0.5
0.1
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
I
EBO
Emitter-base cutoff current (Collector open)
mA
Forward current transfer ratio
h
FE
Ratio
*
h
FE
80
h
FE(Small
0.50
0.99
/Large)
V
CE(sat)
V
OH
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V, R
L
=
1 k
0.25
V
Output voltage high-level
4.9
V
Output voltage low-level
V
OL
0.2
+
30%
V
Input resistance
R
1
30%
47
k
Resistance ratio
R
1
/ R
2
0.8
1.0
1.2
Transition frequency
f
T
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
200 MHz
80
MHz
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
0 to 0.02
6
5
4
1
2
3
1
±
0
(
0
1.00
±
0.05
Display at No.1 lead
0
±
0
0
(0.35)
(0.35)
0
+
-
0
0.12
+0.02
-
1
Tr2
Tr1
2
3
4
6
5
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
50
50
80
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
Collector current
I
C
P
T
mA
Total power dissipation
*
125
mW
Junction temperature
T
j
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Note)*: Measuring on substrate at 17 mm
×
10 mm
×
1 mm
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Ratio between one and another
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